Haberler

Kukla Gofretler "Kukla" kelimesi "sahte" veya "Simüle edilmiş ." sahte gofret olarak da bilinen kukla gofretler anlamına gelir veya sadece birkaç d...

Epi (epitaksi) süreci, yarı iletken üretiminde önemli bir malzeme büyüme teknolojisidir . epitaks, .} {{{5} için tek kristal bir silikon substratı ...

Substrat, cihazın fiziksel temelidir ve epitaksiyal büyümenin fizibilitesini ve maliyetini belirler . epitaksiyal tabaka fonksiyonel çekirdektir ve...

Erken düzlemsel CMOS süreçlerinden gelişmiş finfetlere kadar, P-tipi substratlar entegre devre tasarımında yaygın olarak kullanılmaya devam etmekte...

· Substrat, cihazın fiziksel temelidir ve epitaksiyal büyümenin fizibilitesini ve maliyetini belirler.
· Epitaksiyal tabaka fonksiyonel çekirdek...

Yarıiletken üretim ve malzeme biliminde, silikon gofretlerin kristal oryantasyonu (örneğin<100>, <110>, <111>) fiziksel özellikleri, kimyasal davra...

Gofret inceltme amacı

Neden doping? Doping yöntemleri nelerdir? Doping'in rolü nedir?

Silikon gofretlerin kristal yönelimleri nelerdir?
Kaç konumlandırma kenarları var?
Konumlandırma kenarı nasıl konumlandırılır?
Konumlandır...

Gofret inceltme, yarı iletken üretiminde önemli bir adımdır ve temel amacı çip performansı, ambalaj, ısı dağılımı, vb. Gereksinimlerini karşılamaktır.

Silikon (SI) yarı iletken endüstrisinde çekirdek bir malzemedir ve işleme teknolojisi mikroelektronik ve mikroelektromekanik sistemlerin (MEMS) gel...

Silikon Nitrür Film Büyümesi Mekanizması LPCVD Büyüme Denklemi: PECVD büyümesi denklemi: Yukarıdaki iki şekilden şunu görebiliriz: SIH4 SI kaynağın...